锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

BZX55C3V9、BZX55C3V9-TAP、BZX55C3V9-TP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX55C3V9 BZX55C3V9-TAP BZX55C3V9-TP

描述 Zener Diodes500mW,BZX55C 系列,Vishay Semiconductor小信号齐纳二极管 超剧烈反向特性 低反向电流电平 非常高的稳定性 低噪声 符合 AEC-Q101 ### 齐纳二极管,Vishay SemiconductorDO-35 3.9V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 Yangzhou Yangjie Electronic Vishay Semiconductor (威世) Micro Commercial Components (美微科)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 -

封装 - DO-35-2 DO-35

容差 - ±5 % -

额定功率 - 0.5 W -

击穿电压 - 4.10 V -

正向电压 - 1.5V @200mA -

耗散功率 - 500 mW 500 mW

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 3.9 V 3.9 V

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 500 mW -

长度 - 3.9 mm -

宽度 - 1.7 mm -

高度 - 1.7 mm -

封装 - DO-35-2 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 - Tape -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -