SI4936ADY-T1-E3、SI4936ADY-T1-GE3、SI4936ADY-E3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI4936ADY-T1-E3 SI4936ADY-T1-GE3 SI4936ADY-E3

描述 MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 30V; RDS(ON) 0.032Ω; ID 4.4A; SO-8; PD 1.1W; VGS +/-20Trans MOSFET N-CH 30V 4.4A 8Pin SOIC N T/RMOSFET 30V 5.9A 2W

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

引脚数 8 - -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

额定功率(Max) 1.1 W 1.1 W -

漏源极电阻 0.053 Ω - -

耗散功率 1.1 W - -

漏源击穿电压 30 V - -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

长度 5 mm - 4.9 mm

高度 1.55 mm - 1.75 mm

宽度 - - 3.9 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -