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1N6374-E3/51、ICTE8-E3/73、1N6374-E3/73对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N6374-E3/51 ICTE8-E3/73 1N6374-E3/73

描述 Diode TVS Single Uni-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE BulkDiode TVS Single Uni-Dir 8V 1.5kW 2Pin Case 1.5KE AmmoESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 8.0V Unidirect AEC-Q101 Qualified

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201-2

击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

耗散功率 1.5 kW - -

钳位电压 11.5 V 11.5 V 11.5 V

脉冲峰值功率 1500 W 1500 W 1500 W

最小反向击穿电压 9.4 V 9.4 V 9.4 V

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

工作电压 - 8 V 8 V

长度 9.5 mm - 9.5 mm

封装 DO-201AA DO-201AA DO-201-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Ammo Pack Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free