MTP5N40E、STP7NB40、BUZ60对比区别

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型号 MTP5N40E STP7NB40 BUZ60

描述 Trans MOSFET N-CH Si 400V 5A 3Pin(3+Tab) TO-220N - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFETSIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 3 3

封装 - TO-220-3 TO-220

通道数 - 1 -

漏源极电阻 - 750 mΩ -

极性 - N-Channel -

耗散功率 - 100 W -

漏源击穿电压 - 400 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.00 A -

上升时间 - 7.5 ns 50 ns

下降时间 - 9 ns 70 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -55 ℃

输入电容(Ciss) - - 780pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) - - 75000 mW

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

封装 - TO-220-3 TO-220

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -

ECCN代码 EAR99 - -