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BZT52H-C3V0、PUMH9,115、BZT52H-C3V0,115对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZT52H-C3V0 PUMH9,115 BZT52H-C3V0,115

描述 NXP  BZT52H-C3V0  单管二极管 齐纳, 3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °CNXP  PUMH9,115  双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363NXP  BZT52H-C3V0,115  单管二极管 齐纳, 3 V, 375 mW, SOD-123F, 2 %, 2 引脚, 150 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 6 2

封装 SOD-123F SOT-363-6 SOD-123F

针脚数 2 6 2

耗散功率 375 mW 200 mW 375 mW

稳压值 3 V - 3 V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

容差 - - ±5 %

正向电压 - - 900mV @10mA

测试电流 - - 5 mA

正向电压(Max) - - 900mV @10mA

额定功率(Max) - 300 mW 375 mW

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 830 mW

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V -

集电极最大允许电流 - 100mA -

最小电流放大倍数(hFE) - 100 @5mA, 5V -

直流电流增益(hFE) - 100 -

封装 SOD-123F SOT-363-6 SOD-123F

高度 - 1 mm 1.2 mm

长度 - 2.2 mm -

宽度 - 1.35 mm -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃

温度系数 - - -1.75 mV/K