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F1763NBGI、F1763NBGI8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 F1763NBGI F1763NBGI8

描述 射频混合器 DPD MIXER 0.35 UM SIGE BICMOSDown Converter, QFN-20

数据手册 --

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RF射频器件RF射频器件

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 20 20

封装 VFQFPN-20 VFQFPN-20

频率 2.3GHz ~ 2.7GHz 2.3GHz ~ 2.7GHz

供电电流 200 mA 200 mA

耗散功率 1300 mW 1300 mW

增益 12.2 dB 12.2 dB

耗散功率(Max) 1300 mW 1300 mW

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V

长度 5.00 mm 5.00 mm

宽度 5.00 mm 5.00 mm

封装 VFQFPN-20 VFQFPN-20

厚度 800 µm 800 µm

工作温度 -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free