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PIC18F2321-I/SO、PIC18F2321-I/SP、PIC18F2320-I/SO对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PIC18F2321-I/SO PIC18F2321-I/SP PIC18F2320-I/SO

描述 MICROCHIP  PIC18F2321-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 8 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOICPIC18F2221/2321/4221/4321 8 位微控制器Microchip 的 PIC18F 微控制器是 Microchip 产品线中功能最强大的 8 位设备。 该系列包含的 CAN、LIN 和以太网功能是完整系列外围设备的一部分,可满足嵌入式应用和版本的需求,采用 XLP(极低功耗)技术,用于功耗为关键考量的应用。 PIC18F2221/2321/4221/4321 系列微控制器基于 Microchip 的 PIC18 体系结构,提供 31 级 硬件堆栈和 77 指令。 这些 MCU 提供高达 10 个 MIPS、多达 8 kb 的程序存储器、512 kb 的 RAM 和 256 kb 的数据 EEPROM。 板载可配置振荡器,精确度为 ±1%。### 微控制器功能40 MHz 最大 CPU 速度 77 指令 31 级硬件堆栈 可配置内部振荡器 - 可选频率范围 8 mHz 至 31 kHz 25 个输入/输出引脚 - PIC18F2221/2321 型号 36 个输入/输出引脚 - PIC18F4221/4321 型号 nanoWatt XLP 技术 通电重置 (POR) 通电计时器 (PWRT) 振荡器启动计时器 (OST) 掉电重置 (BOR) 延长监控计时器 (WDT) 低电压编程 (LVP) 在线串行编程 (ICSP) 在线调试 (ICD) ### 外设10 位模拟到数字转换器 (ADC) - PIC18F2221/2321 10 通道;PIC18F4221/4321 13 通道 一个增强型采集、比较、PWM 模块 - 仅 PIC18F4221/4321 型号 采集、比较、PWM 模块 - PIC18F2221/2321 x 2、PIC18F4221/4321 x 1 两个比较器 一个 8 位计时器 三个 16 位计时器 高电压/低电压检测 (HLVD) 模块 主同步串行端口 (MSSP) 模块,带有 SPI 和 I2C 增强型通用同步异步接收器发射器 (EUSART) ### PIC18 微控制器MICROCHIP  PIC18F2320-I/SO  微控制器, 8位, 闪存, PIC18F2xxx, 40 MHz, 8 KB, 512 Byte, 28 引脚, SOIC

数据手册 ---

制造商 Microchip (微芯) Microchip (微芯) Microchip (微芯)

分类 8位微控制器微控制器微控制器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Surface Mount

引脚数 28 28 28

封装 SOIC-28 DIP-28 SOIC-28

频率 40 MHz 40 MHz 40 MHz

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max) 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 4.2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V

针脚数 28 28 28

时钟频率 40 MHz 8 MHz 40 MHz

RAM大小 512 B 512 B 512 B

位数 8 8 8

FLASH内存容量 8 KB 8 KB 8 KB

I/O引脚数 25 25 25

存取时间 40.0 µs 40.0 µs 40.0 µs

内核架构 PIC PIC PIC

模数转换数(ADC) 1 1 1

输入/输出数 25 Input 25 Input 25 Input

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 1000 mW

电源电压 2V ~ 5.5V 2V ~ 5.5V 4.2V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V 5.5 V 5.5 V

电源电压(Min) 2 V 4.2 V 4.2 V

耗散功率 1000 mW - 1000 mW

内核子架构 - - PIC18

长度 17.9 mm 35.56 mm 17.9 mm

宽度 7.5 mm 0.295 in 7.5 mm

高度 2.35 mm 3.81 mm 2.35 mm

封装 SOIC-28 DIP-28 SOIC-28

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - 3A991 EAR99

HTS代码 - 8542310001 -