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IXFH230N10T、IXTK250N10对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH230N10T IXTK250N10

描述 TO-247 N-CH 100V 230ATrans MOSFET N-CH 100V 250A 3Pin(3+Tab) TO-264AA

数据手册 --

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-247-3 TO-264-3

耗散功率 650W (Tc) 730W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 15300pF @25V(Vds) 12700pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 650W (Tc) 730W (Tc)

极性 N-CH -

连续漏极电流(Ids) 230A -

上升时间 40 ns -

下降时间 15 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

封装 TO-247-3 TO-264-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free