STE53NC50、STE70NM50、IXFN64N50P对比区别

高亮显示差异参数

型号 STE53NC50 STE70NM50 IXFN64N50P

描述 STMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 VIXYS SEMICONDUCTOR  IXFN64N50P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 64 A, 500 V, 85 mohm, 10 V, 5.5 V

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Screw Screw

引脚数 4 4 4

封装 ISOTOP-4 ISOTOP-4 SOT-227-4

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 53.0 A 70.0 A 64.0 A

额定功率 460 W 600 W -

针脚数 4 4 4

漏源极电阻 0.08 Ω 45 mΩ 0.085 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 460 W 600 W 700 W

阈值电压 3 V 4 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 500 V 500 V 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 53.0 A 30.0 A 61.0 A

上升时间 70 ns 58 ns -

输入电容(Ciss) 11200pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds) 8700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 460 W 600 W 700 W

下降时间 38 ns 46 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 460W (Tc) 600W (Tc) 700W (Tc)

通道数 1 - -

隔离电压 2.50 kV - -

输入电容 - - 8.70 nF

栅电荷 - - 150 nC

长度 38.2 mm 38.2 mm 38.23 mm

宽度 25.5 mm 25.5 mm 25.42 mm

高度 9.1 mm 9.1 mm 9.6 mm

封装 ISOTOP-4 ISOTOP-4 SOT-227-4

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 -