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MT40A512M8RH-083E:B、MT40A512M8HX-083E:A对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MT40A512M8RH-083E:B MT40A512M8HX-083E:A

描述 MT40A512M8RH-083E:B 托盘DDR DRAM, 512MX8, CMOS, PBGA78, 9 X 11.5MM, LEAD FREE, FBGA-78

数据手册 --

制造商 Micron (镁光) Micron (镁光)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 78 78

封装 FBGA-78 FBGA-78

工作电压 1.20 V 1.20 V

位数 8 8

工作温度(Max) 95 ℃ 95 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 1.14V ~ 1.26V 1.14V ~ 1.26V

供电电流 - 196 mA

存取时间(Max) - 0.175 ns

封装 FBGA-78 FBGA-78

工作温度 0℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free