APT51M50J、STE53NC50、STE70NM50对比区别

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型号 APT51M50J STE53NC50 STE70NM50

描述 N沟道MOSFET N-Channel MOSFETSTMICROELECTRONICS  STE53NC50  晶体管, MOSFET, N沟道, 53 A, 500 V, 80 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STE70NM50  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 500 V, 45 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Screw Surface Mount Screw

引脚数 4 4 4

封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 ISOTOP-4

额定电压(DC) 500 V 500 V 500 V

额定电流 51.0 A 53.0 A 70.0 A

额定功率 - 460 W 600 W

通道数 - 1 -

针脚数 - 4 4

漏源极电阻 - 0.08 Ω 45 mΩ

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 480000 mW 460 W 600 W

阈值电压 - 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V

漏源击穿电压 - 500 V 500 V

栅源击穿电压 - ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 51.0 A 53.0 A 30.0 A

上升时间 55 ns 70 ns 58 ns

隔离电压 - 2.50 kV -

输入电容(Ciss) 11600pF @25V(Vds) 11200pF @25V(Vds) 7500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 460 W 600 W

下降时间 39 ns 38 ns 46 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 480W (Tc) 460W (Tc) 600W (Tc)

输入电容 11.6 nF - -

栅电荷 290 nC - -

长度 - 38.2 mm 38.2 mm

宽度 - 25.5 mm 25.5 mm

高度 - 9.1 mm 9.1 mm

封装 SOT-227-4 ISOTOP-4 ISOTOP-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99