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JAN1N6136US、JANTX1N6136US、JANS1N6136US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N6136US JANTX1N6136US JANS1N6136US

描述 E-MELF 136.8V 500WE-MELF 136.8V 500WTrans Voltage Suppressor Diode, 500W, 136.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HERMETIC SEALED, SURFACE MOUNT PACKAGE-2

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

封装 SQ-MELF SQ-MELF -

引脚数 2 - -

最大反向电压(Vrrm) 136.8V 136.8V -

脉冲峰值功率 500 W 500 W -

最小反向击穿电压 162.45 V 162.45 V -

封装 SQ-MELF SQ-MELF -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tray -

RoHS标准 Non-Compliant -

含铅标准 Contains Lead -