SSR4N60BTF、STD4NK60ZT4、FQD5N60C对比区别

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型号 SSR4N60BTF STD4NK60ZT4 FQD5N60C

描述 N沟道 600V 2.8ASTMICROELECTRONICS  STD4NK60ZT4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 -

封装 TO-252 TO-252-3 DPAK

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 4.00 A -

额定功率 - 70 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 2.50 Ω 2 Ω -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 2.50 W 70 W -

阈值电压 - 2.3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V -

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V -

连续漏极电流(Ids) 2.80 A 4.00 A 2.8A

上升时间 - 9.5 ns -

输入电容(Ciss) - 510pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 70 W -

下降时间 - 16.5 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 70000 mW -

长度 - 6.6 mm -

宽度 - 6.2 mm -

高度 - 2.4 mm -

封装 TO-252 TO-252-3 DPAK

工作温度 - 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -