IS61NLP51236-200B3I、IS61NLP51236-200B3LI、IS61NLP51236-200B3对比区别

高亮显示差异参数

型号 IS61NLP51236-200B3I IS61NLP51236-200B3LI IS61NLP51236-200B3

描述 静态随机存取存储器 18Mb,"No-Wait"/Pipeline,Sync,512K x 36,200Mhz,3.3v/2.5v - I/O,165 Ball BGASRAM Chip Sync Quad 3.3V 18M-Bit 512K x 36 3.1ns 165Pin BGA静态随机存取存储器 18Mb 512Kx36 200Mhz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 165 165 165

封装 BGA-165 BGA-165 TFBGA-165

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.47 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)

时钟频率 - 200MHz (max) 200MHz (max)

位数 36 36 36

存取时间 3.1 ns 5.00 ns 3.1 ns

内存容量 - 18000000 B 18000000 B

存取时间(Max) 3.1 ns 3.1 ns 3.1 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 - 3.135V ~ 3.465V 3.135V ~ 3.465V

封装 BGA-165 BGA-165 TFBGA-165

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Obsolete Obsolete

包装方式 - Tray Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 - 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99 -