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IPA60R299CP、TK12A60W对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R299CP TK12A60W

描述 Infineon CoolMOS™CP 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能TO-220SIS N-CH 600V 11.5A

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)

分类 MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-220-3 SC-67

漏源极电阻 0.299 Ω -

极性 N-Channel N-CH

耗散功率 33 W -

阈值电压 3 V -

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 11.5A

上升时间 5 ns -

输入电容(Ciss) 1100pF @100V(Vds) 890pF @300V(Vds)

额定功率(Max) 33 W 35 W

下降时间 5 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 33 W -

长度 10.65 mm -

宽度 4.85 mm -

高度 16.15 mm -

封装 TO-220-3 SC-67

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 -