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APT10035LFLLG、APT10045LFLLG、APT10035LLLG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 APT10035LFLLG APT10045LFLLG APT10035LLLG

描述 功率MOS 7是新一代低损耗,高电压, N沟道的 Power MOS 7is a new generation of low loss, high voltage, N-ChannelTrans MOSFET N-CH 1kV 23A 3Pin(3+Tab) TO-264Trans MOSFET N-CH 1kV 28A 3Pin(3+Tab) TO-264

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

额定电压(DC) 1.00 kV 1.00 kV 1.00 kV

额定电流 28.0 A 23.0 A 28.0 A

极性 N-CH - -

输入电容 5.18 nF 4.35 nF 5.18 nF

栅电荷 186 nC 154 nC 186 nC

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 28.0 A 23.0 A 28.0 A

上升时间 10 ns 5 ns 10 ns

输入电容(Ciss) 5185pF @25V(Vds) 4350pF @25V(Vds) 5185pF @25V(Vds)

下降时间 9 ns 8 ns 9 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 690000 mW 565000 mW 690W (Tc)

耗散功率 - 565 W 690W (Tc)

额定功率(Max) - 565 W -

封装 TO-264-3 TO-264-3 TO-264-3

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃ (TJ)