2N3467、JAN2N3467、2N4033对比区别
描述 PNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTORPNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTORPNP硅晶体管开关 PNP SILICON SWITCHING TRANSISTOR
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-39-3 TO-39 TO-205
耗散功率 - - 0.8 W
击穿电压(集电极-发射极) - 40 V 80 V
最小电流放大倍数(hFE) - - 100 @100mA, 5V
额定功率(Max) - - 800 mW
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW 800 mW
极性 - PNP -
集电极最大允许电流 - 1A -
封装 TO-39-3 TO-39 TO-205
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 - - -55℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bag Bag
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free -
ECCN代码 - - EAR99