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IS42S32800J-7BLI、IS42S32800J-7BLI-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S32800J-7BLI IS42S32800J-7BLI-TR

描述 DRAM, 8M ×32bit, 5.4ns, LVTTL接口, TFBGA-90Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-90

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 90 90

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

供电电流 170 mA -

针脚数 90 -

时钟频率 143 MHz -

位数 32 32

存取时间 5.4 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 7 ns 5.4 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

封装 TFBGA-90 TFBGA-90

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅

ECCN代码 EAR99 EAR99