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CY14B116N-BZ25XI、CY14B116N-BZ25XIT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY14B116N-BZ25XI CY14B116N-BZ25XIT

描述 16Mbit (2048K 8/1024K 16/512K 32) nvSRAM16Mbit (2048K 8/1024K 16/512K 32) nvSRAM

数据手册 --

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)

分类 存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 165 165

封装 LBGA-165 FBGA-165

存取时间(Max) 25 ns 25 ns

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V 2.7V ~ 3.6V

封装 LBGA-165 FBGA-165

高度 - 0.89 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Tray Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅

ECCN代码 3A991.b.2.a -