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BC549BTF、BC549BTFR、BC548BZL1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC549BTF BC549BTFR BC548BZL1G

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 3Pin TO-92 T/RON SEMICONDUCTOR  BC548BZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 30 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

引脚数 3 - 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.5 W 0.5 W 625 mW

增益频宽积 - 300 MHz 300 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V

额定功率(Max) 500 mW 500 mW 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -55 ℃

频率 300 MHz - 300 MHz

额定电压(DC) 30.0 V - 30.0 V

额定电流 100 mA - 100 mA

针脚数 - - 3

直流电流增益(hFE) - - 290

耗散功率(Max) 500 mW - 625 mW

最大电流放大倍数(hFE) 800 - -

长度 4.58 mm 4.58 mm 5.2 mm

宽度 3.86 mm 3.86 mm 4.19 mm

高度 5.33 mm 4.58 mm 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-226-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99