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5117、KM44C4103CK-6、KM44C4105CK-5对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 5117 KM44C4103CK-6 KM44C4105CK-5

描述 IC 4M X 4 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/24, Dynamic RAM4M x 4Bit CMOS quad CAS DRAM with fast page mode, 5V, 60ns4M x 4Bit CMOS quad CAS DRAM with extended data out, 50ns

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Samsung (三星) Samsung (三星)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 TSOP-2 - -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 28 -

封装 TSOP-2 - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - Non-Compliant RoHS Compliant

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ -