IPD088N06N3G、IPD088N06N3GBTMA1、IPD170N04NGBTMA1对比区别
型号 IPD088N06N3G IPD088N06N3GBTMA1 IPD170N04NGBTMA1
描述 Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，60 至 80VOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。快速切换 MOSFET，用于 SMPS 优化技术，用于直流/直流转换器 符合目标应用的 JEDEC1 规格 N 通道，逻辑电平 极佳的栅极电荷 x R DS(on) 产品 (FOM) 极低导通电阻 R DS(on) 无铅电镀 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON IPD088N06N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 VDPAK N-CH 40V 30A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
极性 N-Channel N-Channel N-CH
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 40 V
连续漏极电流(Ids) 50A 50A 30A
上升时间 40 ns 40 ns 1 ns
输入电容(Ciss) 2900pF @30V(Vds) 2900pF @30V(Vds) 880pF @20V(Vds)
下降时间 5 ns 5 ns 2.2 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 71 W 71000 mW 31W (Tc)
额定功率 - 71 W -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.0071 Ω -
耗散功率 - 71 W 31W (Tc)
阈值电压 - 3 V -
输入电容 - 2900 pF -
长度 6.73 mm 6.73 mm -
宽度 6.22 mm 6.22 mm -
高度 2.41 mm 2.41 mm -
封装 TO-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -