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2N5088TA、ZTX696B、2N5088TAR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5088TA ZTX696B 2N5088TAR

描述 NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ZTX696B 编带NPN 晶体管,高达 30V,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Diodes (美台) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

频率 50 MHz - 50 MHz

额定电压(DC) 30.0 V 180 V 30.0 V

额定电流 100 mA 500 mA 100 mA

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 625 mW 1000 mW 0.625 W

集电极击穿电压 35.0 V - 35.0 V

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 180 V 30 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.5A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 300 150 @200mA, 5V 300

最大电流放大倍数(hFE) 900 - 900

额定功率(Max) 625 mW 1 W 625 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 200 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -50 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 1000 mW 625 mW

长度 5.2 mm - 5.2 mm

宽度 4.19 mm - 4.19 mm

高度 5.33 mm - 5.33 mm

封装 TO-92-3 TO-92-3 TO-92-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 200℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Box Bulk Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 EAR99 - EAR99