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IPP085N06LG、IPP08CN10LG、SPP80N06S-08对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP085N06LG IPP08CN10LG SPP80N06S-08

描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorOptiMOS2功率三极管 OptiMOS2 Power-TransistorSIPMOS㈢功率三极管 SIPMOS㈢ Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

极性 - N-Channel N-CH

耗散功率 - 167 W 300 W

额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V

额定电流 80.0 A - 80.0 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 6.5 mΩ

阈值电压 - - 2.1 V

输入电容 3.50 nF - 3.66 nF

栅电荷 104 nC - 187 nC

漏源极电压(Vds) 60 V - 55 V

漏源击穿电压 - - 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 80.0 A

上升时间 - - 53 ns

输入电容(Ciss) 3500pF @30V(Vds) - 3660pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 188 W - 300 W

下降时间 - - 32 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 55 ℃

耗散功率(Max) - - 300000 mW

封装 TO-220 TO-220 TO-220-3

长度 - - 10 mm

宽度 - - 4.4 mm

高度 - - 15.65 mm

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead