FQD13N10LTF、IRF520NSTRLPBF、FQD13N10LTM对比区别

高亮显示差异参数

型号 FQD13N10LTF IRF520NSTRLPBF FQD13N10LTM

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3Pin(2+Tab) DPAK T/RP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3FQD13N10L 系列 100 V 10 A 180 mOhm N 沟道 QFET® MOSFET - DPAK-3

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 10.0 A - -

漏源极电阻 180 mΩ 0.2 Ω 0.142 Ω

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 2.5W (Ta), 40W (Tc) 3.8 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 10.0 A 9.7A -

输入电容(Ciss) 520pF @25V(Vds) 330pF @25V(Vds) 400pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 40W (Tc) 3.8W (Ta), 48W (Tc) 2500 mW

针脚数 - 3 3

阈值电压 - 4 V 2 V

上升时间 - 23 ns 220 ns

额定功率(Max) - - 2.5 W

下降时间 - 23 ns 72 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 47 W -

输入电容 - 330 pF -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

长度 - 10.67 mm 6.6 mm

宽度 - 9.65 mm 6.1 mm

高度 - 4.83 mm 2.3 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -