FQAF16N50、IRFS350A对比区别

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型号 FQAF16N50 IRFS350A

描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 -

封装 TO-3-3 TO-220-3

耗散功率 110 W 92W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 400 V

上升时间 180 ns -

输入电容(Ciss) 3000pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 110 W 92 W

下降时间 100 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110W (Tc) 92W (Tc)

额定电压(DC) 500 V 400 V

额定电流 11.3 A 11.5 A

通道数 1 -

漏源极电阻 320 mΩ 300 mΩ

极性 N-Channel N-Channel

漏源击穿电压 500 V 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.3 A 11.5 A

长度 15.7 mm -

宽度 5.7 mm -

高度 16.7 mm -

封装 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99