BC546BRL1G、BC546BZL1G、BC546CTA对比区别

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型号 BC546BRL1G BC546BZL1G BC546CTA

描述 ON SEMICONDUCTOR  BC546BRL1G  单晶体管 双极, NPN, 65 V, 300 MHz, 1.5 W, 100 mA, 200 hFEON SEMICONDUCTOR  BC546BZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 65 V, 150 MHz, 625 mW, 100 mA, 290 hFENPN 晶体管，60V 至 100V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 300 MHz 300 MHz 300 MHz

额定电压(DC) 65.0 V 65.0 V 65.0 V

额定电流 100 mA 100 mA 100 mA

针脚数 3 3 -

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1.5 W 625 mW 0.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V 65 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 200 @2mA, 5V 420 @2mA, 5V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

直流电流增益(hFE) 200 290 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 500 mW

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

长度 5.2 mm - 4.58 mm

宽度 4.19 mm - 3.86 mm

高度 5.33 mm - 4.58 mm

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99