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IPA60R750E6、SPA06N60C3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPA60R750E6 SPA06N60C3

描述 Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET**Infineon** 系列的 CoolMOS™E6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。 ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能INFINEON  SPA06N60C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 650 V, 0.68 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 650 V

额定电流 - 6.20 A

通道数 1 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.68 Ω

极性 N-CH N-Channel

耗散功率 27W (Tc) 32 W

阈值电压 - 3 V

输入电容 - 620 pF

栅电荷 - 31.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 650 V

漏源击穿电压 - 600 V

连续漏极电流(Ids) 5.7A 6.20 A

上升时间 7 ns 12 ns

输入电容(Ciss) 373pF @100V(Vds) 620pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 27 W 32 W

下降时间 12 ns 10 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 27W (Tc) 32W (Tc)

长度 10.65 mm 10.65 mm

宽度 4.9 mm 4.85 mm

高度 16.15 mm 16.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Not Recommended

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17