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71V632S7PFGI8、IDT71V632S7PFG、71V632S7PFGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V632S7PFGI8 IDT71V632S7PFG 71V632S7PFGI

描述 静态随机存取存储器 64Kx32 SYNC 3.3V PIPELINED BURST 静态随机存取存储器64K ×32的3.3V同步SRAM流水线突发输出计数器,单周期取消 64K x 32 3.3V Synchronous SRAM Pipelined Outputs Burst Counter, Single Cycle DeselectCache SRAM, 64KX32, 7ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20MM, 1.4MM HEIGHT, PLASTIC, TQFP-100

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 100 - 100

封装 TQFP-100 LQFP TQFP-100

存取时间 7 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.63V - 3.135V ~ 3.63V

长度 20 mm - 20.0 mm

宽度 14 mm - 14.0 mm

高度 1.4 mm - 1.4 mm

封装 TQFP-100 LQFP TQFP-100

厚度 1.40 mm - 1.40 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 - 3A991 -