STP19NM65N、STW19NM65N、STI19NM65N对比区别

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型号 STP19NM65N STW19NM65N STI19NM65N

描述 N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFETSTW19NM65N系列 N沟道 650 V 0.27 Ohm MDmesh 功率MOSFET - TO-247-3N沟道650 V - 0.25 Ω - 15.5 - TO- 220 / FP -D2 / I2PAK - TO-247第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 650 V - 0.25 Ω - 15.5 A - TO-220/FP-D2/I2PAK-TO-247 second generation MDmesh™ Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

漏源极电压(Vds) 650 V 650 V 650 V

连续漏极电流(Ids) 15.5A 15.5A 15.5A

输入电容(Ciss) 1900pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds) 1900pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 150 W 150 W -

耗散功率(Max) 150W (Tc) 150W (Tc) 150W (Tc)

封装 TO-220-3 TO-247-3 TO-262-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free