FQB30N06、FQB30N06LTM、FQB30N06L对比区别

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型号 FQB30N06 FQB30N06LTM FQB30N06L

描述 60V N沟道MOSFET 60V N-Channel MOSFETON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB30N06LTM, 32 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装LOGIC 60V N沟道MOSFET 60V LOGIC N-Channel MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH - N-CH

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 30A - 32A

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.027 Ω -

耗散功率 - 3.75 W -

阈值电压 - 2.5 V -

上升时间 - 210 ns -

输入电容(Ciss) - 800pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 3.75 W -

下降时间 - 110 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 3.75 W -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - -

含铅标准 - Lead Free -