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4GBL01、GBL04、KBU8D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 4GBL01 GBL04 KBU8D

描述 BRIDGE SGL PHASE 100V 4A 4-GBLGENESIC SEMICONDUCTOR GBL04 Bridge Rectifier Diode, Single, 400V, 4A, SIP, 1.1V, 4PinsBridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 200V V(RRM), Silicon, 23.50 X 5.7MM, 19.3MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-4

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) GeneSiC Semiconductor Diotec Semiconductor

分类 二极管二极管二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 4 4

封装 SIP-4 SIP-4 -

正向电压 - 1.1V @4A 1 V

正向电流 - 4 A -

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 150 A 300 A

正向电压(Max) - 1.1 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -50 ℃

负载电流 - - 8 A

反向恢复时间 - - 1500 ns

长度 - 20.3 mm -

宽度 - 3.7 mm -

高度 - 11.3 mm -

封装 SIP-4 SIP-4 -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Bulk Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

HTS代码 - 8541100080 -