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IRF4905L、IRF4905LPBF、AUIRF4905L对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF4905L IRF4905LPBF AUIRF4905L

描述 TO-262P-CH 55V 74AINFINEON  IRF4905LPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, 74 A, -55 V, 20 mohm, -10 V, 4 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

额定功率 - 200 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.02 Ω -

极性 P-Channel P-Channel P-CH

耗散功率 200 W 200 W 170 W

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 3500 pF -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 -55.0 V 55 V -

连续漏极电流(Ids) 74.0 A 70A 74A

上升时间 99 ns 99 ns -

输入电容(Ciss) - 3500pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 170 W -

下降时间 96 ns 64 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 170W (Tc) 200W (Tc)

额定电压(DC) -55.0 V - -

额定电流 -74.0 A - -

产品系列 IRF4905L - -

长度 - 10.2 mm 10.67 mm

宽度 - 4.5 mm 4.83 mm

高度 - 10.54 mm 9.65 mm

封装 TO-262 TO-262-3 TO-262

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Rail, Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free 无铅

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -