FDG6318P、FDG6318PZ对比区别

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型号 FDG6318P FDG6318PZ

描述 FET，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。ON Semiconductor 双 Si P沟道 MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363 (SC-70)封装

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SC-70-6 SC-70-6

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

上升时间 12 ns 13 ns

输入电容(Ciss) 83pF @10V(Vds) 85.4pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

下降时间 1 ns 24 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 0.3 W 300 mW

针脚数 - 6

漏源极电阻 780 mΩ 0.58 Ω

耗散功率 0.3 W 300 mW

阈值电压 - 900 mV

额定电压(DC) -20.0 V -

额定电流 -500 mA -

通道数 2 -

极性 P-Channel -

输入电容 83.0 pF -

栅电荷 860 pC -

漏源击穿电压 20 V -

栅源击穿电压 ±12.0 V -

连续漏极电流(Ids) 500 mA -

长度 2 mm 2 mm

宽度 1.25 mm 1.25 mm

高度 1 mm 1 mm

封装 SC-70-6 SC-70-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -