SI2374DS-T1-GE3、TN0200K-T1-E3对比区别

高亮显示差异参数

型号 SI2374DS-T1-GE3 TN0200K-T1-E3

描述 Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 3Pin TO-236 T/RVISHAY  TN0200K-T1-E3  晶体管, MOSFET, N沟道, 730 mA, 20 V, 400 mohm, 4.5 V, 600 mV

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23

漏源极电阻 0.025 Ω 0.4 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 1.7 W 350 mW

阈值电压 1 V 600 mV

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V

上升时间 23 ns -

下降时间 10 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

针脚数 - 3

连续漏极电流(Ids) - 730 mA

长度 2.9 mm 3.04 mm

宽度 1.6 mm -

高度 1.45 mm 1.02 mm

封装 SOT-23-3 SOT-23

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -