IXTT50N30、IXTT52N30P、IXFV52N30P对比区别

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型号 IXTT50N30 IXTT52N30P IXFV52N30P

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin(2+Tab) TO-268TO-268 N-CH 300V 52ATrans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 晶体管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3

引脚数 - 3 -

通道数 - - 1

漏源极电阻 - - 66 mΩ

极性 - N-CH N-Channel

耗散功率 - 400 W 400 W

输入电容 - - 3.49 nF

栅电荷 - - 110 nC

漏源极电压(Vds) - 300 V 300 V

漏源击穿电压 - - 300 V

连续漏极电流(Ids) - 52A 52.0 A

上升时间 - 22 ns 22 ns

输入电容(Ciss) - 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 400 W

下降时间 - 20 ns 20 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) - 400W (Tc) 400W (Tc)

封装 TO-268-3 TO-268-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free