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IRF2805S、STB150NF55T4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF2805S STB150NF55T4

描述 Trans MOSFET N-CH 55V 135A 3Pin(2+Tab) D2PAKSTMICROELECTRONICS  STB150NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3

安装方式 - Surface Mount

引脚数 - 3

耗散功率 200 W 300 W

产品系列 IRF2805S -

额定电压(DC) - 55.0 V

额定电流 - 120 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 5 mΩ

极性 - N-Channel

阈值电压 - 4 V

输入电容 - 4400 pF

漏源极电压(Vds) - 55 V

漏源击穿电压 - 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - 60.0 A

上升时间 - 180 ns

输入电容(Ciss) - 4400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W

下降时间 - 80 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc)

封装 D2PAK TO-263-3

长度 - 10.4 mm

宽度 - 9.35 mm

高度 - 4.6 mm

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR)

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99