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JANHCA1N5521C、JANTX1N5521C-1、1N5521C对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANHCA1N5521C JANTX1N5521C-1 1N5521C

描述 DO-35 4.3V 0.5W(1/2W)无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

引脚数 - 2 -

耗散功率 500 mW - -

稳压值 4.3 V 4.3 V -

容差 - ±2 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

测试电流 - 20 mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 DO-35 DO-204AH DO-35

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Bag -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - Non-Compliant -

含铅标准 - -