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70V639S10BF8、70V639S10PRFG8、70V639S10BF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 70V639S10BF8 70V639S10PRFG8 70V639S10BF

描述 IC SRAM 2.25Mbit 10NS 208CABGA静态随机存取存储器 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM静态随机存取存储器 128Kx18 STD-PWR 3.3V DUAL-PORT RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 208 128 208

封装 LFBGA-208 TQFP-128 CABGA-208

电源电压 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V 3.15V ~ 3.45V

存取时间 - - 10 ns

工作温度(Max) - - 70 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

长度 15.0 mm 20 mm 15 mm

宽度 15.0 mm 14 mm 15 mm

高度 - 1.4 mm 1.4 mm

封装 LFBGA-208 TQFP-128 CABGA-208

厚度 1.40 mm 1.40 mm 1.40 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead