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DDTB113EC-7-F、PDTB113EK,115、DDTB113EC-7对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DDTB113EC-7-F PDTB113EK,115 DDTB113EC-7

描述 Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3Pin SOT-23 T/RMPAK PNP 50V 500mAPre-Bias Transistors

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diodes (美台)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 200 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 500mA 500mA 500mA

最小电流放大倍数(hFE) 33 @50mA, 5V 33 @50mA, 5V -

额定功率(Max) 200 mW 250 mW -

工作温度(Max) 150 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

增益带宽 200 MHz - -

耗散功率(Max) 200 mW - -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23

产品生命周期 Active Obsolete Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 - -