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GS8182T18BD-250、GS8182T18BGD-250、GS8182T18BGD-200对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 GS8182T18BD-250 GS8182T18BGD-250 GS8182T18BGD-200

描述 静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18M静态随机存取存储器 1.8 or 1.5V 1M x 18 18MDDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15MM, 1MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165

数据手册 ---

制造商 GSI GSI GSI

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

封装 BGA-165 BGA-165 LBGA

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃ -

封装 BGA-165 BGA-165 LBGA

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray - Tray

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

工作温度 0℃ ~ 70℃ - 0℃ ~ 70℃