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71V124SA10TYG8、IS63LV1024L-10JLI、IS63LV1024-12KL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 71V124SA10TYG8 IS63LV1024L-10JLI IS63LV1024-12KL

描述 SRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32Pin SOJ T/RSRAM Chip Async Single 3.3V 1M-Bit 128K x 8 10ns 32Pin SOJ1Mb, High-Speed, Async, 128K x 8, 12ns, 3.3V, 32Pin SOJ (400 mil), RoHS

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 32 32 32

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

电源电压(DC) - 3.30 V, 3.45 V (max) 3.30 V, 3.60 V (max)

供电电流 - - 130 mA

位数 - 8 8

存取时间 10 ns 10 ns 12 ns

内存容量 - 1000000 B 1000000 B

存取时间(Max) - 10 ns 12 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 0 ℃

电源电压 3.15V ~ 3.6V 3.15V ~ 3.45V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - 3.6 V

电源电压(Min) 3.15 V - 3 V

封装 SOJ-32 SOJ-32 SOJ-32

长度 22.0 mm - -

宽度 7.60 mm - -

厚度 2.67 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free

ECCN代码 - EAR99 EAR99