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7200L15TP、IDT7200L15SOGI、7200L15TPGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7200L15TP IDT7200L15SOGI 7200L15TPGI

描述 IC MEM FIFO 256X9 15NS 28DIPFIFO(先进先出)存储器,IDT### FIFO(先进先出)存储器FIFO, 256X9, 15ns, Asynchronous, CMOS, PDIP28, GREEN, PLASTIC, DIP-28

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 FIFOFIFOFIFO

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 DIP-28 SOIC DIP-28

引脚数 28 28 -

存取时间 15 ns - 15 ns

电源电压 4.5V ~ 5.5V - 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

工作温度(Max) - 85 ℃ -

工作温度(Min) - -40 ℃ -

封装 DIP-28 SOIC DIP-28

长度 34.3 mm 17.9 mm -

宽度 7.62 mm 8.4 mm -

高度 3.3 mm 2.62 mm -

厚度 3.30 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ - -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

ECCN代码 - EAR99 -