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1N5241B-T、TC1N5241B、1N5241B-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5241B-T TC1N5241B 1N5241B-TR

描述 Diode Zener Single 11V 5% 0.5W(1/2W) 2Pin DO-35 T/RDO-35 11V 0.5W(1/2W)VISHAY  1N5241B-TR  齐纳二极管, 500mW, 11V, DO-35

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) TAK Cheong Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35-2

引脚数 2 - 2

耗散功率 500 mW 500 mW 500 mW

稳压值 11 V 11 V 11 V

容差 ±5 % - ±5 %

击穿电压 - - 11.0 V

针脚数 - - 2

正向电压 1.1V @200mA - 1.1V @200mA

测试电流 20 mA - 20 mA

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 0.5 W

额定电压(DC) 11.0 V - -

额定功率 500 mW - -

正向电压(Max) 1.1V @200mA - -

封装 DO-35-2 DO-35 DO-35-2

长度 4 mm - 3.9 mm

宽度 2 mm - 1.7 mm

高度 2 mm - 1.7 mm

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

工作温度 -65℃ ~ 200℃ - 175 ℃