SI4501ADY-T1-E3、SI4501ADY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4501ADY-T1-E3 SI4501ADY-T1-GE3

描述 MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOICMOSFET N/P-CH 30V/8V 8-SOIC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

漏源极电阻 0.027.0.06 Ω 42 mΩ

极性 N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel

耗散功率 1.3 W 1.3 W

漏源极电压(Vds) 30V, 8V 30V, 8V

连续漏极电流(Ids) 6.30 A -

额定功率(Max) 1.3 W 1.3 W

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

长度 5 mm -

高度 1.55 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free