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IS42S81600E-6TL-TR、IS42S81600F-6TL-TR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S81600E-6TL-TR IS42S81600F-6TL-TR

描述 DRAM Chip SDRAM 128Mbit 16Mx8 3.3V 54Pin TSOP-II T/R128M, 3.3V, SDRAM, 16Mx8, 166MHz, 54Pin TSOP II (400 mil) RoHS, T&R

数据手册 --

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 54 54

封装 TSOP-54 TSOP-54

位数 8 8

存取时间 6.5 ns 5.4 ns

存取时间(Max) 5.4ns, 6.5ns 5.4ns, 6.5ns

工作温度(Max) 70 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ 0 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V -

电源电压(Min) 3 V -

封装 TSOP-54 TSOP-54

长度 22.22 mm -

宽度 10.16 mm -

高度 1 mm -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅