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BUK149-50DL、BUK149-50DL,127对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK149-50DL BUK149-50DL,127

描述 I2PAK N-CH 50V 16AI2PAK N-CH 50V 16A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 主动器件MOS管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole

封装 SOT-226 TO-262-3

输出接口数 1 1

通道数 - 1

漏源极电阻 - 100 mΩ

极性 N-CH N-CH

耗散功率 - 65 W

漏源极电压(Vds) 50 V 50 V

漏源击穿电压 - 50 V

连续漏极电流(Ids) 16A 16A

输出电流(Max) 16 A 16 A

下降时间 - 35 µs

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃

额定电压(DC) 50.0 V -

额定电流 16.0 A -

长度 - 10.3 mm

宽度 - 4.5 mm

高度 - 9.4 mm

封装 SOT-226 TO-262-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free