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CNY173M、CNY17F-3、CNY17-3-M对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CNY173M CNY17F-3 CNY17-3-M

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  CNY173M  光电耦合器, 晶体管输出, 1通道, DIP, 6 引脚, 60 mA, 7.5 kV, 100 %CNY17F-3FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  CNY17-3-M  光电耦合器, 晶体管输出, 1通道, DIP, 6 引脚, 60 mA, 7.5 kV, 100 %

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) LiteOn (光宝) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器光耦合器/光隔离器

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 6 6 6

封装 DIP-6 DIP-6 DIP

上升/下降时间 4µs, 3.5µs (Max) 5 µs -

输入电压(DC) 1.35 V 1.45 V 1.35 V

输出电压 70 V ≤70.0 V 70.0 V

电路数 1 1 1

通道数 1 1 1

针脚数 6 - 6

正向电压 1.35 V 1.45 V -

输入电流 60 mA - 60.0 mA

耗散功率 0.25 W 250 mW -

上升时间 6000 ns 5 µs 39.0 µs

隔离电压 7.5 kV 5000 Vrms 6 kV

击穿电压(集电极-发射极) 70 V - -

正向电流 60 mA 60 mA -

输出电压(Max) 70 V 70 V -

输入电流(Min) 60 mA 60 mA -

击穿电压 6 V - -

正向电压(Max) 1.65 V 1.65 V -

正向电流(Max) 60 mA 60 mA 60 mA

下降时间 24000 ns 5 µs -

下降时间(Max) 24 µs 10 µs -

上升时间(Max) 6 µs 10 µs -

工作温度(Max) 100 ℃ 100 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 250 mW 250 mW -

宽度 6.6 mm 6.5 mm -

高度 2.54 mm 3.5 mm -

封装 DIP-6 DIP-6 DIP

长度 - 7.3 mm -

工作温度 -40℃ ~ 100℃ -55℃ ~ 100℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - -