IRFBG30、STP3NK100Z、STP5NK100Z对比区别

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型号 IRFBG30 STP3NK100Z STP5NK100Z

描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP3NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.5 A, 1 kV, 5.4 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS  STP5NK100Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.5 A, 1 kV, 3.7 ohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - - 1.00 kV

额定电流 - - 3.50 A

额定功率 - - 125 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 5.4 Ω 3.7 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 125 W 90 W 125 W

阈值电压 - 3.75 V 3.75 V

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1 kV

漏源击穿电压 - 1000 V 1.00 kV

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 3.1A 12.5 A 3.50 A

上升时间 - 7.5 ns 7.7 ns

输入电容(Ciss) - 601pF @25V(Vds) 1154pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 90 W 125 W

下降时间 - 32 ns 19 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 90W (Tc) 125W (Tc)

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.15 mm 9.15 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 - Not Recommended for New Designs Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99