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BUZ323、IRFP350PBF、MTW16N40E对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUZ323 IRFP350PBF MTW16N40E

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorTrans MOSFET N-CH 400V 16A 3Pin(3+Tab) TO-247ACTO-247 N-CH 400V 16A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

封装 - TO-247-3 TO-247

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 - TO-247-3 TO-247

长度 - 15.87 mm -

宽度 - 5.31 mm -

高度 - 20.82 mm -

产品生命周期 Obsolete Active Unknown

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

极性 - - N-CH

漏源极电压(Vds) - 400 V 400 V

连续漏极电流(Ids) - - 16A

耗散功率 - 190 W -

上升时间 - 49 ns -

输入电容(Ciss) - 2600pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 190 W -

下降时间 - 47 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 190W (Tc) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -